[发明专利]像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD有效

专利信息
申请号: 201410146175.3 申请日: 2014-04-11
公开(公告)号: CN103941512A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 王新星;姚继开 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/161 分类号: G02F1/161
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD,用以解决目前像素分隔墙会与像素电极部分交叠,使得像素开口率变小的问题。本发明实施例的像素分隔墙制作方法包括:在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;采用同一掩膜版,先对固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对导电膜层进行刻蚀处理以形成与固体部件完全重合的像素电极;在形成有固体部件的基板表面上旋涂混合液;在像素电极上施加第一直流电压信号,在混合液中施加第二直流电压信号,且第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;加热蒸发掉混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的聚合物单体进行固化处理,形成像素分隔墙。
搜索关键词: 像素 隔墙 制作方法 阵列 以及 amecd
【主权项】:
一种像素分隔墙的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;其中,所述衬底基板包括薄膜晶体管TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;其中,所述固体介质层满足如下特性:在初始状态下,其上表面具有亲水性;而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号,并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时,其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410146175.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top