[发明专利]像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD有效
申请号: | 201410146175.3 | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN103941512A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 王新星;姚继开 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/161 | 分类号: | G02F1/161 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD,用以解决目前像素分隔墙会与像素电极部分交叠,使得像素开口率变小的问题。本发明实施例的像素分隔墙制作方法包括:在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;采用同一掩膜版,先对固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对导电膜层进行刻蚀处理以形成与固体部件完全重合的像素电极;在形成有固体部件的基板表面上旋涂混合液;在像素电极上施加第一直流电压信号,在混合液中施加第二直流电压信号,且第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;加热蒸发掉混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的聚合物单体进行固化处理,形成像素分隔墙。 | ||
搜索关键词: | 像素 隔墙 制作方法 阵列 以及 amecd | ||
【主权项】:
一种像素分隔墙的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;其中,所述衬底基板包括薄膜晶体管TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;其中,所述固体介质层满足如下特性:在初始状态下,其上表面具有亲水性;而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号,并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时,其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。
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