[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410146227.7 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104103598B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;J·鲍姆加特尔;G·拉克纳;A·毛德;F·J·桑托斯罗德里奎兹 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括器件载体以及附接至器件载体的半导体芯片。此外，半导体器件包括具有凹陷的盖体。盖体包括半导体材料并且附接至器件载体以使得半导体芯片容纳在凹陷中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子装置，包括：器件载体；半导体芯片，附接至所述器件载体；以及盖体，具有凹陷，其中所述盖体附接至所述器件载体，所述半导体芯片被容纳在所述凹陷中并且所述盖体包括半导体材料，所述盖体还具有至少一个开口，所述至少一个开口与芯片电极竖直对准，并且所述芯片电极穿过所述开口电连接至所述电子装置的外部接触端子，其中所述盖体包括背离所述半导体芯片的外表面，以及其中所述外部接触端子位于所述盖体的外表面附近。
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