[发明专利]半导体装置与其形成方法有效
| 申请号： | 201410147865.0 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104979394B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 杜尚晖;黄志仁;张睿钧;林鑫成;胡钰豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供的半导体装置与其形成方法，半导体装置包括第一导电型的基板，以及漏极区、源极区、与阱位于基板中。位于漏极区与源极区之间的阱具有第二导电型，且第一导电型与第二导电型相反。此装置还包括多个掺杂区于阱中。掺杂区水平地与垂直地互相偏离。每一掺杂区包含第一导电型的较下部分，与较下部分上的第二导电型的较上部分。通过本发明提供的半导体装置与其形成方法，可以在半导体装置增加击穿电压的情况下，而不会增加装置面积或开启电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板，具有一第一导电型；一漏极区、一源极区、与一阱位于该基板中，该阱位于该源极区与该漏极区之间，该阱具有一第二导电型，且该第一导电型与该第二导电型相反；以及多个掺杂区位于该阱中，所述掺杂区水平地与垂直地完全不重迭，每一所述掺杂区包括该第一导电型的一较下部分，与堆叠于该较下部分上的该第二导电型的一较上部分。
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