[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201410147952.6 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104103684A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 约翰尼斯·唐克斯;汉斯·布鲁克曼;斯蒂芬·海尔;马克·德克瑟;西西勒·范德切尔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/47;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括：在衬底(10)上的至少一个有源层(14，16)；以及至所述至少一个有源层的第一触点(24、26、28)，所述第一触点包括与所述至少一个有源层接触的金属以及金属上的氮化钛钨TiW(N)层(30)。还公开了一种制造这种半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底(10)上的至少一个有源层(14，16)；以及至所述至少一个有源层的第一触点(24、26、28)，所述第一触点包括与所述至少一个有源层接触的金属以及金属上的氮化钛钨TiW(N)层(30)。
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