[发明专利]一种底部具有金属凹槽结构的硅基薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 201410148419.1 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103904146A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 饶蕾 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种底部具有金属凹槽结构的硅基薄膜太阳能电池，包括：具有周期性凹槽的金属电极以及硅基薄膜，其中所述硅基薄膜形成在具有周期性凹槽的金属电极表面，并且所述具有周期性凹槽的金属电极位于硅基薄膜底部。本发明通过设计金属凹槽的结构参数，即可增加太阳光光谱中特定波长的光在硅基薄膜中的光程，增大光吸收，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明所设计的太阳能电池结构具有结构紧凑、光电转换效率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 具有 金属 凹槽 结构 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种底部具有金属凹槽结构的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于包括：具有周期性凹槽的金属电极以及硅基薄膜，其中所述硅基薄膜形成在具有周期性凹槽的金属电极表面，并且所述具有周期性凹槽的金属电极位于硅基薄膜底部。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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