[发明专利]一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构有效
| 申请号： | 201410148635.6 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103928364A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 焦斌斌;曾立天 | 申请（专利权）人： | 江苏艾特曼电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 邵骅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构，其特征在于：所述结构包括在共晶键合衬底上与键合层相连的测试电极，所述测试电极设置在键合层与键合衬底之间，覆盖键合层区域，所述测试电极上引出引线焊盘。本发明提供的用于检测键合中合金化程度的结构与方法，通过在键合环上直接制作电极与测试结构，可以单独测试晶圆上任何区域的合金情况，对工艺均匀性进行评估；本发明不受衬底材质的影响，可以在任何衬底或衬底上表面材料情况下进行合金化分析；本发明电极电阻的测试接法采用四探针法和阻值对比法，可以准确的测量出键合环电导率，精度与分辨率都远高于现有技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 共晶键合中 合金 程度 结构 | ||
【主权项】：
一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构，其特征在于：所述结构包括在共晶键合衬底上与键合层相连的测试电极，所述测试电极设置在键合层与键合衬底之间，覆盖键合层区域，所述测试电极上引出引线焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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