[发明专利]提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法无效

专利信息
申请号: 201410148669.5 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN103911659A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 李进;高忙忙;薛子文;李海波;李国龙;梁森;张洪岩;何力军 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B27/02;C30B15/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中,该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤:将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm;在采用直拉法制造单晶硅的等径生长步骤中,在等径初期控制液口距的范围值为15~20mm。
搜索关键词: 提高 400 mm 以上 直径 单晶硅 稳定性 方法
【主权项】:
一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法,该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中,该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤:将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm;在采用直拉法制造单晶硅的等径生长步骤中,在等径初期控制液口距的范围值为15~20mm。
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