[发明专利]一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件有效
| 申请号： | 201410148707.7 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN103956389B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅 | 申请（专利权）人： | 绍兴米来电子科技有限公司;南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/338 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 312099 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 沟槽 mos 肖特基 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；其特征在于：梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状；所述的N+半导体衬底的掺杂浓度在1×1018cm‑3以上；所述的N‑外延层的掺杂浓度在5×1017cm‑3以下；所述的N‑外延层的厚度大于4um；梯形沟槽内壁生长的氧化层厚度大于1000A；沟槽的总深度d大于1μm；沟槽的宽度上下不同，上部沟槽的宽度大于下部的沟槽。
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