[发明专利]半导体装置的制造方法及焊接用压块有效
申请号: | 201410150243.3 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN104112677B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 佐野真二;西泽龙男 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及用于该制造方法的焊接用压块,其在制造功率半导体模块的焊接工序中,抑制在接合面的熔融焊锡中产生厚度不均及空隙,并且即使在焊接构件上配置有布线等上部结构物,上部结构物与焊接用压块也互不干扰而使稳定的焊接成为可能。在因基材的翘曲而在基材接合面上出现高度差时,重心从压块主体的中心偏移,使用只在压块主体的与焊接物面对的一侧的边缘部配置有腿的焊接用压块,在基材主面的预定范围的边缘部中因翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置阻隔材料,并且以使重心位于因翘曲而高度相对变低的一侧的方式将压块载置于焊接物上,然后实施使焊锡熔融的升温处理。 | ||
搜索关键词: | 压块 焊接 边缘部 翘曲 半导体装置 上部结构 焊接物 制造 基材 配置 功率半导体模块 重心 焊接工序 焊接构件 焊锡熔融 厚度不均 互不干扰 基材接合 中心偏移 阻隔材料 接合 高度差 布线 焊锡 熔融 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包含:准备:焊锡;焊接物;基材,其在所述焊锡的熔点以上的温度下,在主面具有因翘曲引起的高度差;压块,其使重心从所述焊接物的中心偏移,而只在与所述焊接物面对的一侧的边缘部具有腿;定位夹具,其具有用于将所述焊接物保持在所述基材主面的预定范围内的孔;阻隔材料,其可堵住熔融的所述焊锡;在所述基材主面的预定范围的边缘部中因所述翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置所述阻隔材料的工序;在所述基材的主面载置所述定位夹具的工序;在所述孔中重叠载置所述焊锡与所述焊接物的工序;以使所述重心位于因所述翘曲而高度相对变低的一侧的方式将所述压块载置于所述焊接物的上表面的工序;以及将温度升高至所述焊锡熔点以上的温度的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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