[发明专利]非易失性存储器元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器元件及其制造方法，上述非易失性存储器元件包括非易失性存储器单元，包括一第一晶体管和第二晶体管，设置于基板上，第一晶体管和第二晶体管共用源极区，第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极为字线的不同部分；第一电阻转态元件和第二电阻转态元件，分别耦接至第一晶体管的第一漏极区和第二晶体管的第二漏极区；第一源极线，耦接至源极区；第一位线，耦接至第一电阻转态元件；第二位线，耦接至第二电阻转态元件，其中第一源极线、第一位线和第二位线位于第一金属层且互相平行。通过本发明，使得源极线和位线位于相同金属层且互相平行，且使字线分别垂直于上述源极线和上述第二位线，增加了配线空间。

主权项

一种非易失性存储器元件，其特征在于，所述存储器元件包括：一第一非易失性存储器单元，用来储存二位元数据，包括：一第一晶体管和一第二晶体管，设置于一基板上，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管共用一源极区，其中所述第一晶体管的一第一栅极和所述第二晶体管的一第二栅极为一字线的不同部分；一第一电阻转态元件和一第二电阻转态元件，分别耦接至所述第一晶体管的一第一漏极区和所述第二晶体管的一第二漏极区；一第一源极线，耦接至所述第一源极区；一第一位线，耦接至所述第一电阻转态元件；以及一第二位线，耦接至所述第二电阻转态元件；其中所述第一源极线、所述第一位线和所述第二位线位于一金属层且互相平行，以及其中所述字线分别垂直于所述第一源极线、所述第一位线和所述第二位线；一第二非易失性存储器单元，用来储存二位元数据，包括：一第三电阻转态元件和一第四电阻转态元件；以及一顶电极接触插塞，耦接至所述第一非易失性存储器单元的所述第一电阻转态元件和所述第二非易失性存储器单元的所述第三电阻转态元件。