[发明专利]VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410150483.3 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN103878010A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 陈刚;周彦松;于麒麟;赵丽宸;何强 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 牟永林
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法,本发明涉及VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法。本发明是为了解决可见光下光催化剂利用太阳能分解水产氧性能低的问题,制备方法为:一、将Ga2O3和ZnO混合,混合后加入VB族金属的化合物,再置于玛瑙研钵中室温下研磨;二、将研磨后的前驱体在氨气气氛中高温煅烧,再在氨气气氛下冷却至100℃后取出,冷却至室温,经去离子水和无水乙醇洗涤,即完成。本发明的制备方法操作简便,制得的光催化材料产氧活性较原体系有大幅度高,提高了太阳光能转化效率。本发明应用于功能材料中的光催化材料领域。
搜索关键词: vb 金属 离子 掺杂 ga sub zn 固溶体 光催化剂 制备 方法
【主权项】:
VB族金属离子掺杂(Ga1‑xZnx)(N1‑xOx)固溶体光催化剂的制备方法,其特征在于VB族金属离子掺杂(Ga1‑xZnx)(N1‑xOx)固溶体光催化剂的制备方法按以下步骤进行:一、将Ga2O3和ZnO混合,混合后加入VB族金属的化合物,再置于玛瑙研钵中室温下研磨,得到研磨后的前驱体;二、将研磨后的前驱体在氨气气氛中煅烧,再在氨气气氛下冷却至100℃后取出,然后冷却至室温,再经去离子水和无水乙醇洗涤得到VB族金属离子掺杂(Ga1‑xZnx)(N1‑xOx)固溶体光催化剂,即完成;其中(Ga1‑xZnx)(N1‑xOx)中的x为0<x<1,Ga2O3和ZnO中Ga元素与Zn元素的摩尔比为1:(0.8~1.1),Ga元素和Zn元素的总摩尔与VB族金属元素的摩尔比为1:(0.01~0.1)。
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