[发明专利]一种高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法

摘要

本发明涉及一种高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，包括以下步骤：步骤1、将硅氧化物晶体放入水或乙醇溶液中进行超声波清洗，除去二氧化硅晶体表面污渍和油渍。步骤2、把步骤1洗净的硅氧化物晶体在80-120℃条件下烘干4h。步骤3、把步骤2烘干的硅氧化物晶体放入载体，送入高温管式炉的中段，先通入氮气将管路中的氧化性气体排除干净，然后程序升温至1300℃后保温6h，升温速率2-15℃/min，在保温阶段通入氢氩混合气体，通气时间2h，通气流量15cm3/s。步骤4、待步骤3反应结束后，设置高温管式炉的降温速率为10-15℃/min降至室温。步骤5、将步骤4中降至室温的硅纳米线收集，用去离子水洗净、真空干燥后，获得尺寸一致，排列有序的高纯度硅纳米线。

主权项

一种高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、将硅氧化物晶体清洗干净，除去硅氧化物晶体表面的污渍和油渍；步骤2、把步骤1洗净的硅氧化物晶体烘干；步骤3、将步骤2中烘干的硅氧化物晶体放入载体，送入高温管式炉的中段进行还原反应；还原反应前先排净设备管路中的氧化性气体，再进行还原反应；步骤4、待步骤3反应结束后，设置高温管式炉降温至室温；步骤5、待步骤4降温至室温后，取出载体，将载体上还原的硅纳米线收集、清洗并干燥后，获得尺寸一致，排列有序的高纯度硅纳米线。