[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410151913.3 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299986B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;张亨淳;尹钟密;河泰元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和在所述第一有源区和所述第二有源区之间并直接接触所述第一有源区和所述第二有源区的场区；以及栅极结构，其形成在所述衬底上，以跨越所述第一有源区、所述第二有源区和所述场区，其中所述栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，其中所述p型金属栅电极形成在所述第一有源区上，并且所述n型金属栅电极形成在所述第二有源区上，并且其中所述p型金属栅电极与所述n型金属栅电极之间的接触表面更靠近所述第一有源区而非所述第二有源区。
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