[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。在基底中形成多个隔离结构，其中每一隔离结构的顶表面高过于基底的顶表面，而相邻的隔离结构和位于其间的基底定义出第一沟渠。在基底上形成覆盖所述多个隔离结构且部分填满每一第一沟渠的第一导电层。在每一第一沟渠中的第一导电层上形成保护层。使第一导电层表面的一部分氧化，以形成牺牲层。移除牺牲层以及所述多个保护层。形成覆盖第一导电层且填满所述多个第一沟渠的第二导电层。本发明避免元件效能恶化。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：在基底中形成多个隔离结构，其中每一隔离结构的顶表面高过于该基底的顶表面，而相邻的隔离结构和位于其间的该基底定义出第一沟渠；在该基底上形成覆盖所述多个隔离结构且部分填满每一第一沟渠的第一导电层；在每一第一沟渠中的该第一导电层上形成保护层；使该第一导电层表面的一部分氧化，以形成牺牲层；移除该牺牲层以及该保护层；以及形成覆盖该第一导电层且填满每一第一沟渠的第二导电层。