[发明专利]鳍式场效应晶体管器件的鳍结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410154202.1 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104183498B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 柳青;N·劳贝特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 由硅半导体材料形成的SOI衬底层包括相邻的第一区域和第二区域。去除第二区域中的硅衬底层的一部分，使得第二区域保留由硅半导体材料制成的底部部分。进行锗硅半导体材料的外延生长以覆盖底部部分。然后将锗从外延生长的锗硅材料驱动到底部部分中以将底部部分转化成锗硅。执行进一步的锗硅生长，以在第一区域中的硅区域相邻的第二区域中限定锗硅区域。对硅区域进行构图以限定第一(例如n沟道)导电类型的鳍式FET的第一鳍结构。也对锗硅区域进行构图以限定第二(例如p沟道)导电类型的鳍式FET的第二鳍结构。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在由第一半导体材料形成并且具有与第二区域相邻的第一区域的衬底层中，去除所述衬底层的在所述第二区域中的第一半导体材料的一部分，所述第二区域保留由所述第一半导体材料制成的底部部分；外延生长覆盖所述底部部分的第二半导体材料；将由所述第一半导体材料制成的所述底部部分转化成所述第二半导体材料，使得通过所述第一半导体材料限定所述第一区域并且通过所述第二半导体材料限定所述第二区域；对所述第一区域中的所述第一半导体材料进行构图，以限定第一导电类型的鳍式FET晶体管的第一鳍结构；以及对所述第二区域中的所述第二半导体材料进行构图，以限定第二导电类型的鳍式FET晶体管的第二鳍结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
