[发明专利]一种表面增强拉曼金属纳米圆盘阵列基底的制备方法无效
| 申请号： | 201410154551.3 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104020151A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 孙旭辉;张平平 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面增强拉曼检测性能的金属纳米圆盘阵列基底的制备方法，表面增强拉曼检测性能的金属纳米圆盘阵列基底制备方法步骤包括：在干净的Si基底上旋涂一层光刻胶，烘烤；在同步辐射X射线环境下（上海光源BL08U1BXIL线站提供）使用X射线干涉曝光；用显影液显影得到光刻胶的孔状阵列；用物理气相沉积法沉积金属薄膜；用丙酮去除剩余的光刻胶得到金属纳米圆盘阵列。本发明能够制备出规整的，具有均匀直径的高重复性和敏感性拉曼检测性能的金属纳米圆盘阵列，具有通过改变圆盘直径，厚度及双金属的方式来提高表面增强拉曼（SERS）的增强性能的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 增强 金属 纳米 圆盘 阵列 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
表面增强拉曼金属纳米圆盘阵列基底的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）在干净的Si基底上旋涂一层光刻胶，使用烘烤机烘烤；（2）在同步辐射X射线环境下使用X射线干涉曝光；（3）用显影液显影得到光刻胶的孔状阵列；（4）用物理气相沉积法沉积金属薄膜；（5）用丙酮去除剩余的PMMA得到金属纳米圆盘阵列。
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