[发明专利]水平扩散金氧半导体元件在审
| 申请号： | 201410155578.4 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104600100A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 苏潮源;吴清逸;陈弘斌;张俊彦 | 申请（专利权）人： | 奇景光电股份有限公司;原景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种水平扩散金氧半导体元件，尤其是揭露一种水平扩散N型金氧半导体元件以及水平扩散P型金氧半导体元件。水平扩散N型金氧半导体元件包括半导体基底、磊晶层在半导体基底上、图案化的隔离层在磊晶层上、N型双扩散区于图案化的隔离层的第一主动区中、N型浓掺杂漏极区设置于N-型双扩散区中、P型体掺杂区设置于图案化的隔离层的第二主动区中、一对相邻的N型浓掺杂源极区和P型浓掺杂源极区设置于P型体掺杂区中、第一栅极结构设置于通道区上以及第二栅极结构设置于第二主动区上。第二栅极结构与第一栅极结构相隔预定距离。N型双扩散区的制作方式包括离子布植及磊晶层掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 扩散 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，包括：一半导体基底；一磊晶层在该半导体基底上；一图案化的隔离层设置于该磊晶层上，借以定义一第一主动区、一第二主动区及一通道区，其中该通道区位于该第一主动区及该第二主动区之间；一N型双扩散区设置于该第一主动区中；一N型浓掺杂漏极区设置于该N‑型双扩散区中；一P型体掺杂区设置于该第二主动区中，其中该N‑型双扩散区和该P‑型体掺杂区相隔一第一预定距离，以露出该磊晶层；一对相邻的一N型浓掺杂源极区和一P型浓掺杂源极区设置于该P型体掺杂区中；一第一栅极结构设置于该通道区上；以及一第二栅极结构设置于该第二主动区上，其中该第二栅极结构与该第一栅极结构相隔一第二预定距离。
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