[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在第一区域上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅介质层和伪栅极；在所述第二区域上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅介质层和第二栅极，所述伪栅介质层的厚度小于第二栅介质层的厚度，所述伪栅极与第二栅极的顶部表面齐平；在伪栅结构和第二栅极结构侧壁表面形成侧墙；在衬底上形成第一介质层；去除所述伪栅结构，在第一区域上形成凹槽；在所述凹槽内形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括位于所述凹槽内壁表面的第一栅介质层和位于所述第一栅介质层表面且填充满所述凹槽的第二栅极结构。所述方法可以提高核心区的晶体管的性能。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于衬底表面的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅极；在所述第二区域上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅介质层和位于所述第二栅介质层表面的第二栅极，所述伪栅介质层的厚度小于第二栅介质层的厚度，所述伪栅极与第二栅极的顶部表面齐平；在所述伪栅结构和第二栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与所述伪栅结构和第二栅极结构的顶部表面齐平；去除所述伪栅结构，在第一区域上形成凹槽，所述凹槽底部暴露出部分衬底的表面；在所述凹槽内形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括位于所述凹槽内壁表面的第一栅介质层和位于所述第一栅介质层表面且填充满所述凹槽的第一栅极；还包括：刻蚀所述第一栅极结构，使所述第一栅极结构的顶部表面低于所述第一介质层的顶部表面；在所述第一栅极结构顶部形成保护层，所述保护层的顶部表面与第一介质层的顶部表面齐平；在所述第一介质层表面、保护层表面和第二栅极结构表面形成第二介质层。