[发明专利]化学气相沉积设备无效
申请号: | 201410156049.6 | 申请日: | 2014-04-17 |
公开(公告)号: | CN103924217A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 艾青南;周贺;胡青飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种化学气相沉积设备,包括底座和盖板,所述底座和盖板均为槽状且两者盖合之后形成真空反应室,所述底座内设置载台,所述载台上放置待镀膜基板,所述盖板内设置气体扩散器,所述盖板的顶盖上开设有气体导入管;所述气体扩散器设置为分体式结构,包括多个独立的分体扩散器,多个所述分体扩散器位于同一水平层面上,每个所述分体扩散器上设置升降调节机构,由升降调节机构带动其对应的分体扩散器沿竖直方向升降。本发明能够使得整个气体扩散器喷射的反应物均匀沉积到下方基板上,提高基板成膜均匀性,弥补了由于备件老化导致的半导体膜局部缺陷不良问题,提高TFT产品良率,延长设备备件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积设备,包括底座和盖板,所述底座和盖板均为槽状且两者盖合之后形成真空反应室,所述底座内设置载台,所述载台上放置待镀膜基板,所述盖板内设置气体扩散器,所述盖板的顶盖上开设有气体导入管;其特征在于,所述气体扩散器设置为分体式结构,包括多个独立的分体扩散器,多个所述分体扩散器位于同一水平层面上,每个所述分体扩散器上设置升降调节机构,由升降调节机构带动其对应的分体扩散器沿竖直方向升降。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的