[发明专利]带有压力隔离的MEMS器件及制作方法有效
申请号: | 201410156341.8 | 申请日: | 2014-04-18 |
公开(公告)号: | CN104108676B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | A·A·盖斯伯格 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及带有压力隔离的MEMS器件及制作方法。MEMS器件(20)包括检验质量结构(26)和位于所述检验质量结构(26)的中央开口(32)中的梁(28、30),其中所述结构和所述梁悬浮在衬底(22)之上。所述梁(28、30)被定向以便所述梁的纵长边缘(34、36)位于彼此旁边。隔离段(38)介于所述梁(28、30)之间以便每一个梁的中间部分(40)被横向地锚定到相邻隔离段(38)。隔离段(38)提供所述梁之间的电隔离。梁(28、30)通过顺从结构(61、65)被锚定到所述衬底(22),其中所述顺从结构将所述梁和底层衬底中的变形隔离。所述顺从结构(61、65)为所述梁(28、30)提供到所述衬底(22)的导电路径(96、98),其中所述路径彼此电隔离。 | ||
搜索关键词: | 带有 压力 隔离 mems 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种微机电系统MEMS器件,包括:衬底;悬浮在所述衬底的表面之上的器件结构,所述器件结构包括检验质量结构,第一梁和第二梁,所述第一梁和所述第二梁被定向以便所述第一梁和所述第二梁的纵长边缘位于彼此旁边;以及悬浮在所述表面之上并介于所述第一梁和所述第二梁之间的至少一个隔离段,其中所述第一梁和所述第二梁中的每一个的中间部分被横向地锚定到所述至少一个隔离段,并且所述至少一个隔离段提供所述第一梁和所述第二梁之间的电隔离。
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