[发明专利]低功耗薄背栅石墨烯场效应晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 201410156613.4 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103943511A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王权;刘帅;任乃飞;李允;祝俊;王雯;张腾飞 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低功耗薄背栅石墨烯场效应晶体管的制备方法，在n型Si衬底的表面热生长SiO2介质层，对SiO2介质层进行光刻，显影后用反应离子刻蚀SiO2介质层，形成沟槽，转移石墨烯到刻蚀后的SiO2介质层上，形成石墨烯沟道，在石墨烯沟道表面依次溅射5nm厚的TiW合金和100nm厚的Au，再进行光刻，显影后，腐蚀TiW/Au形成线型Au连线和Au电极片，构成源极电极和漏极电极，有效地实现了低功耗、高性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 薄背栅 石墨 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低功耗薄背栅石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征是采用以下步骤：（1）在n型Si衬底的表面热生长SiO2介质层；（2）对SiO2介质层进行光刻，显影后用反应离子刻蚀SiO2介质层，形成沟槽；（3）转移石墨烯到刻蚀后的SiO2介质层上，形成石墨烯沟道； （4）在石墨烯沟道表面依次溅射5 nm 厚的TiW合金和100 nm厚 的Au，再进行光刻，显影后，腐蚀TiW/Au形成线型Au连线和Au 电极片，构成源极电极和漏极电极，制备出栅氧为10 nm厚的薄背栅石墨烯场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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