[发明专利]一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法

摘要

本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体为一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法。本发明在高掺硅上有一层二氧化硅薄层作为衬底，利用掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积薄钼，然后在钼的两边淀积一些不联系的铜斑点。利用钼薄膜，在衬底上生长二硫化钼；利用两边的铜，生长石墨烯。生长的石墨烯与二硫化钼相连，作为电极；在二硫化钼上生长氮化硼作为保护层，最后形成二维的二硫化钼背栅器件。本发明方法可以直接生长出二维的二硫化钼背栅器件，不需要经过光刻等工艺步骤，方法简单方便，制备的器件性能良好。可以作为制备二维材料器件的基本方法。

主权项

 一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法，其特征在于具体步骤为： （1）提供生长有二氧化硅的高掺硅衬底；（2）利用掩膜板，在衬底上淀积钼薄块和在其两边淀积不连续的铜斑点；（3）利用化学气相沉积方法，在经上述处理的衬底上生长二硫化钼；（4）利用化学气相沉积方法，在经上述处理的衬底上生长石墨烯作为器件电极；（5）在二硫化钼上生长氮化硼，作为保护层，最后形成器件。