[发明专利]铝金属工艺接触孔的填充方法有效
| 申请号： | 201410157968.5 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104253087B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘善善 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝金属工艺接触孔的填充方法，包括步骤：1)在硅基板上，进行接触孔的刻蚀；2）第一层阻挡层的填充；3）在第一层阻挡层表面上，进行第一金属铝层填充；4）在接触孔内，进行第二金属铝层填充；5）在第一金属铝层和第二金属铝层表面上，进行第三金属铝层填充；6）在第三金属铝层上，形成第二层阻挡层；7）金属铝线图形刻蚀。本发明的方法能有效地进行金属铝填充，避免空洞的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 金属工艺 接触 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铝金属工艺接触孔的填充方法，其特征在于，包括步骤：1)在硅基板上，进行接触孔的刻蚀；2）第一层阻挡层的填充；3）在第一层阻挡层表面上，采用溅射温度10～300℃、溅射功率10～15kw的溅射方法进行第一金属铝层填充；4）在接触孔内，采用溅射温度350～450℃、溅射功率0.5～2kw的溅射方法进行第二金属铝层填充；5）在第一金属铝层和第二金属铝层表面上，采用溅射温度350～450℃、溅射功率10～15kw的溅射方法进行第三金属铝层填充；6）在第三金属铝层上，形成第二层阻挡层；7）金属铝线图形刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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