[发明专利]一种半导体晶片的抛光倒角方法在审
| 申请号： | 201410157983.X | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103985784A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 孙海燕;陈慧卿;史春伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 吴永亮 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角。依照本发明将半导体晶片的正面与侧面的交界处抛光为一定的弧度面，实现了半导体晶片边缘光亮、圆滑，无掉渣、崩边现象。从而达到降低生产红外焦平面探测器器件的成本、提高其性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 抛光 倒角 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片的抛光倒角方法，其特征在于，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角，使所述半导体晶片的正面与侧面的连接处形成预定弧度的倒角面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
