[发明专利]一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410158153.9 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103936075A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李洁;陈启元;侯武娇;杨亚辉;李文章 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C01G41/02 | 分类号： | C01G41/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，该方法是将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液；在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，在FTO基底上制得三氧化钨薄膜；制备方法过程简单、操作便捷，制备的三氧化钨薄膜形貌良好、由单斜相三氧化钨纳米片构成，具有高光电性能，应用前景广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 性能 氧化钨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液；在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，即在FTO基底上制得三氧化钨薄膜；所述杂多酸的加入量是钨酸盐摩尔量的5%～35%；所述的杂多酸为磷钨酸、磷钼酸、硅钨酸中的一种或几种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学，未经中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410158153.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种变压器线圈短路环检测装置
- 下一篇：一种伞形立体式停车库
