[发明专利]晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法，该晶圆级晶片阵列包含一半导体晶圆，具有相邻排列的至少二晶片以及一承载层，各该晶片具有一上表面及一下表面，且于该上表面包含至少一电子元件，该承载层覆盖于各该晶片的上表面；以及至少一外延线保护块，配置于该承载层之下且位于该至少二晶片之间，该外延线保护块的厚度小于该晶片的厚度，其中，该外延线保护块内部具有至少一外延线。本发明具有制程简化以及成本低廉的功效。

主权项

一种晶圆级晶片加工的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体晶圆，该半导体晶圆上具有彼此相邻的至少二晶片以及覆盖该至少二晶片的一承载层，各该晶片具有至少一电子元件以及配置于该半导体晶圆内的至少一外延线保护区的至少一外延线，该外延线与该电子元件电性连接或为单独设计的独立导电线路；微影蚀刻该半导体晶圆的背面，以在该至少二晶片之间形成至少两个凹部；以及全面蚀刻该半导体晶圆的背面，使在该至少二晶片之间的该至少两个凹部扩大并彼此结合成一晶片间沟槽，以使该外延线保护区暴露出来形成至少一外延线保护块。