[发明专利]一种槽栅槽源SOI LDMOS器件

摘要

一种槽栅槽源SOILDMOS器件，包括衬底层、埋氧层、有源半导体层、n⁺漏区、槽栅、栅氧层、介质埋层、槽源、源电极、栅电极、p阱和漏电极并组成SOILDMOS器件，p阱内设有n⁺源区和p⁺p阱欧姆接触区，槽栅和槽源之间通过介质埋层隔离；n⁺源区的上部与栅氧层、介质埋层和槽源相接，p⁺p阱欧姆接触区的上部与槽源相接；p阱的底部与埋氧层相接。本发明的优点是：该槽栅槽源SOILDMOS器件中，纵向槽栅聚集了高电场，提高了器件横向耐压；有源半导体层的纵向电场在槽栅的作用下分布均匀，提高了器件纵向耐压；由于采用了槽栅、槽源结构，P阱与纵向槽栅形成了纵向导电沟道，显著的降低了器件导通电阻。

主权项

一种槽栅槽源SOI LDMOS器件，包括衬底层、埋氧层、有源半导体层、n⁺漏区、槽栅、栅氧层、介质埋层、槽源、源电极、栅电极、p阱和漏电极并组成SOI LDMOS器件，p阱内设有n⁺源区和p⁺p阱欧姆接触区，其特征在于:槽栅和槽源之间通过介质埋层隔离； n⁺源区的上部与栅氧层、介质埋层和槽源相接，p⁺p阱欧姆接触区的上部与槽源相接；p阱的底部与埋氧层相接。