[发明专利]一种电容式硅微型麦克风及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410159536.8 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN103888888B 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 黄晓东;黄见秋;蒋明霞 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00;H04R19/01
代理公司: 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人: 王斌
地址: 214135 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种电容式硅微型麦克风及其制作方法。一种电容式硅微型麦克风,包括衬底、背板以及支撑结构,所述衬底上设有隧穿层,所述隧穿层上设有介质层,所述介质层作为存储层,所述存储层上设有阻挡层;在所述衬底正中下方位置开设有一空腔,位于所述空腔正上方的衬底、隧穿层、存储层以及阻挡层共同构成一振膜;所述背板设在所述衬底上方,所述背板设有通孔;所述背板和所述振膜之间通过支撑结构连接,并在所述振膜正上方形成一间隙。本发明提供的电容式硅微型麦克风无需外加电源,与CMOS工艺兼容,具有易于微型化、低成本、高精度、高可靠性的优点,并能应用于高温、高湿等恶劣环境。
搜索关键词: 衬底 硅微型麦克风 电容式 背板 存储层 隧穿层 振膜 支撑结构 介质层 阻挡层 微型化 恶劣环境 高可靠性 外加电源 下方位置 低成本 一空腔 高湿 空腔 通孔 制作 兼容 应用
【主权项】:
1.一种电容式硅微型麦克风,包括衬底、背板以及支撑结构,其特征在于:所述衬底上设有隧穿层,所述隧穿层上设有介质层,所述介质层作为存储层,所述存储层上设有阻挡层;在所述衬底正中下方位置开设有一空腔,位于所述空腔正上方的衬底、隧穿层、存储层以及阻挡层共同构成一振膜;其中,采用氮化硅层作为存储层,使得存储在存储层中的电荷不能自由移动;所述背板设在所述振膜上方,所述背板设有通孔;所述背板和所述振膜之间通过支撑结构连接,并在所述振膜正上方形成一间隙,在衬底部分的存储层中存储电荷,通过振膜的振动,使得衬底与背板间的间距发生改变从而实现声‑电转换。
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