[发明专利]类单晶硅锭制备方法及切割制备类单晶硅片方法在审
| 申请号： | 201410160053.X | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103952754A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 何亮;陈红荣;胡动力;雷琦 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B11/14;B28D5/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种类单晶硅锭制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：在坩埚底部铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层，所述单晶硅籽晶为<110>晶相；在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，并控制所述籽晶层不被完全融化；以及控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶层上沿<110>晶向结晶生长，制备得到类单晶硅锭。本发明还提供两种切割所述类单晶硅锭制备类单晶硅片的方法，本发明利用<110>晶相的单晶硅籽晶生长获得位错面积小的类单晶硅锭，并通过选择合适的切割方向，切割得到〈100〉晶向的类单晶硅片，提高了材料的使用率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 方法 切割 | ||
【主权项】：
一种类单晶硅锭制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：在坩埚底部铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层，所述单晶硅籽晶为<110>晶相；在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，并控制所述籽晶层不被完全融化；以及控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶层上沿<110>晶向结晶生长，制备得到类单晶硅锭。
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