[发明专利]多相位时钟生成器有效
申请号: | 201410161195.8 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN104579319B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 陈丹凤 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种多相位时钟生成器,包括:环形振荡器、RC滤波器,偏置电流源和频率注入源。环形振荡器由大于1的奇数级首尾相连的CMOS反相器组成。各级CMOS反相器的结构相同,各级CMOS反相器包括由第一NMOS管和第一PMOS管组成的反相器主体,一个第二PMOS管组成的尾电流源。偏置电流源为各级第二PMOS管提供镜像电流。频率注入源将时钟信号注入到环形振荡器的第一级尾电流源的栅极上;其它各级由于RC滤波的作用,栅压基本不受影响。频率注入源注入的时钟信号能够对环形振荡器输出的时钟信号进行注入锁定。本发明能够采用注入锁定的方式实现相位的锁定,能够最大限度的降低相位噪声,能有效降低时钟的频率杂散。 | ||
搜索关键词: | 多相 时钟 生成器 | ||
【主权项】:
1.一种多相位时钟生成器,其特征在于,包括:环形振荡器、RC滤波器,偏置电流源和频率注入源;所述环形振荡器由大于1的奇数级首尾相连的CMOS反相器组成;各级所述CMOS反相器的结构相同,每一级所述CMOS反相器的结构包括一个CMOS反相器主体和一个尾电流源;所述尾电流源为所述偏置电流源的镜像电流;各级所述CMOS反相器的输入端连接前一级所述CMOS反相器的输出端,各级所述CMOS反相器的输出端连接下一级所述CMOS反相器的输入端,第一级所述CMOS反相器的前一级为最后一级所述CMOS反相器;所述RC滤波器由串联的第一电容和第一电阻组成;所述频率注入源输出一时钟输入信号,所述时钟输入信号通过所述第一电容注入到第一级所述CMOS反相器的尾电流源;所述时钟输入信号通过所述RC滤波器和所述偏置电流源以及第二级到最后一级所述环形振荡器的尾电流源隔离;所述时钟输入信号对所述环形振荡器进行注入锁定,使所述环形振荡器输出的时钟输出信号的频率等于所述频率注入源注入的时钟输入信号的频率。
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