[发明专利]一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，通过先在待测样本晶圆衬底表面形成锗非晶化阻挡层，以降低随后晶圆在被监控的离子注入机内的离子注入深度，再经高温退火以在晶圆表面形成具有良好导电性能的掺杂硅锗合金，从而可以直接采用四探针测试仪普通的探针头准确量测RS，实现准确监控离子注入机的稳定性和均匀性。因此，本发明的使用降低了量测的成本，延长了量测机台的使用寿命；同时，本发明的方法有效地提高了RS量测的准确性和稳定性，大为减小了因误判而造成的宕机风险，提高了离子注入机台的产能。

主权项

一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在待测样本晶圆衬底上进行锗离子注入，以在所述晶圆表面形成锗非晶化阻挡层；步骤二：将步骤一中得到的具有锗非晶化阻挡层的晶圆放入需要监控的离子注入机，进行常规的离子注入工艺，利用所述晶圆形成的锗非晶化阻挡层，降低离子的注入深度；步骤三：对步骤二中注入完成的晶圆进行高温退火，以在所述晶圆表面形成掺杂的硅锗合金；步骤四：对步骤三中得到的形成掺杂的硅锗合金的所述晶圆，利用其具有的良好导电性能，采用四探针测试仪量测所述晶圆注入层的方块电阻；步骤五：根据方块电阻的量测值结果，对离子注入机的稳定性和均匀性进行判断，从而实现对需要监控的离子注入机的监控管理。