[发明专利]栅氧化层的制备方法在审
| 申请号： | 201410162783.3 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943480A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张红伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种栅氧化层的制备方法，通过采用惰性气体来稀释反应气体中氢气的含量来减少Si-SiO2界面产生Si-H键和S-O-H键的数量，并在形成氧化膜之后对基底实时高温处理来加快氧化膜内部结构的应力释放,以减少界面附近发生断裂键而产生界面态的可能。采用本发明所提供的方法能有效地减少栅氧化膜的界面态总电荷至少一个数量级，并且栅氧化层具有稳定的含氮量，能提高器件的寿命和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层的制备方法，其特征在于，包括S1：对一基底执行氧化工艺以形成栅氧化层，在所述氧化工艺的反应气体中包括惰性气体；S2：在惰性气体环境中对所述基底进行高温处理；S3：对所述栅氧化层进行氮掺杂；S4：采用高温退火工艺稳定所述栅氧化层的氮掺杂并修复其等离子体损伤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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