[发明专利]一种低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410162936.4 申请日: 2014-04-22
公开(公告)号: CN103924153A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 朱弢;杨锋;张建福;张敬霖;卢凤双;张建生;于一鹏;朱熠 申请(专利权)人: 钢铁研究总院
主分类号: C22C38/10 分类号: C22C38/10;C22C38/16;C21D1/74;C21D6/00
代理公司: 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 代理人: 张小娟
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于精密合金领域,特别涉及一种用于光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法。该合金的化学成分按重量%为:Ni32.0~35.2,Co3.0~3.5,Mn0.10~0.25,Si≤0.15,Cu≤0.02,C≤0.01,P≤0.01,S≤0.01,余量为Fe;该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备:高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。热处理制度为:高纯氢气保护,随炉升温至970±10℃,保温2.5~3h,以200~250℃/h降温至550±10℃,快冷至300℃以下出炉。本发明与现有的低膨胀合金4J32相比,在保持低膨胀特性的前提下,具有较高的初始磁导率,使合金兼具低膨胀性能和磁屏蔽性能两大优点。即:在-45~+75℃温度范围内,合金的膨胀系数在1.0×10-6/℃以下;初始磁导率高于1.5mH/m。
搜索关键词: 一种 膨胀 屏蔽 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金,其特征在于:该合金的化学成分按重量%为:Ni32.0~35.2,Co3.0~3.5,Mn0.10~0.25,Si≤0.15,Cu≤0.02,C≤0.01,P≤0.01,S≤0.01,余量为Fe;该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备:高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。
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