[发明专利]一种H型栅SOI器件的建模方法有效
| 申请号： | 201410163198.5 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103955570B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为H型栅SOI MOS器件，该方法包括a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；b.计算额外栅电容；c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外的栅电容，生成最终模型。根据本发明提供的建模方法，考虑H型栅SOI器件中额外的山电容对器件的性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对H型栅SOI器件的仿真设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型栅 soi 器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI MOS器件的建模方法，其中该SOI MOS器件为H型栅SOI MOS器件，该方法包括：a.提取所述MOS器件的模型参数，包括直流参数和交流参数；b.根据所提取MOS管的交流参数，获得该MOS管的电容，根据所述电容获取单位面积栅氧电容，根据所述单位面积栅氧电容计算出额外的栅电容；c.以提取的MOS器件模型为基础，采用子电路模型，在栅和体之间加上额外的栅电容，生成最终模型。
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