[发明专利]链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法有效
| 申请号： | 201410163436.2 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103972047A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 唐涌耀;陈强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法，包括：提供一链式通孔结构初始样品，所述链式通孔结构初始样品包括第二铜金属层，钽层，形成于通孔中且位于所述钽层上的铜插塞；对所述链式通孔结构初始样品进行研磨，直至暴露所述第二铜金属层；采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞，形成链式通孔结构测试样品。本发明采用湿法刻蚀工艺去除第二铜金属层中的铜和铜插塞，留下钽层，避免了金属铜的短路现象，又因为钽层中含有金属钽满足聚焦离子束显微镜的使用要求，从而对链式通孔结构失效位置定位。 | ||
| 搜索关键词： | 链式 结构 样品 处理 方法 失效 测试 | ||
【主权项】：
一种链式通孔结构样品处理方法，其特征在于，包括：提供一链式通孔结构初始样品，所述链式通孔结构初始样品包括形成于一介质层中的第一沟槽、第二沟槽以及通孔，形成于所述第一沟槽中的第一铜金属层，形成于所述通孔以及第二沟槽侧壁的钽层，形成于所述通孔中且位于所述钽层上的铜插塞，形成于所述第二沟槽中且位于钽层上的第二铜金属层，所述铜插塞与所述第二铜金属层和第一铜金属层连接；对所述链式通孔结构初始样品进行研磨，直至暴露所述第二铜金属层；采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞，形成链式通孔结构测试样品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
