[发明专利]一种浅沟槽结构及浅沟槽填充方法在审
| 申请号： | 201410163860.7 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104022065A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽结构及浅沟槽填充方法，涉及用于半导体的制造工艺领域，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，浅沟槽包括上部和下部，形成浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于基底的斜率小于形成浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁。进行浅沟槽隔绝层淀积；将氮化硅层移除。本发明的技术方案增加生产产能，降低生产成本，工艺调整较小容易实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 结构 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽结构，其特征在于，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和第二侧壁设于所述基底之上，所述第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，所述浅沟槽包括上部和下部，所述下部临近所述基底，所述上部远离所述基底，形成所述浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于所述基底的斜率小于形成所述浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁的斜率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
