[发明专利]一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法在审
| 申请号： | 201410163872.X | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104134617A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 许向辉;何理;郭贤权;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/956 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法，涉及半导体领域。该方法为：对负光阻制程芯片进行划分；根据划分区域采用与所述划分区域对应的入射偏振光逐一对所述划分区域进行扫描，并存储扫描区域的缺陷数据；将所述存储扫描区域的缺陷数据整合以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构。本发明通过对负光阻制程芯片进行划分，并根据划分区域采用对应的入射偏振光对划分区域进行扫描，从而获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构，实现了对高集成度的复杂芯片负光阻制程桥接缺陷检测精确度的控制和优化，可以检测到相互垂直的图形区所形成的负光阻桥接缺陷，达到了快速高效对负光阻制程芯片可能存在的桥接缺陷进行精确扫描的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 负光阻桥接 缺陷 扫描 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.对负光阻制程芯片进行划分；步骤2.根据划分区域采用与所述划分区域对应的入射偏振光逐一对所述划分区域进行扫描，并存储扫描区域的缺陷数据；步骤3.将所述存储扫描区域的缺陷数据整合以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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