[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用了SOI基板的半导体装置中，防止MISFET的动作不良，提高半导体装置的可靠性。另外，降低MISFET的寄生电阻，提高半导体装置的性能。以覆盖与SOI层SL邻接的元件分离区域STI的上表面的端部的方式，以宽的宽度来形成在SOI基板上部的SOI层SL上形成的外延层T1。由此，防止形成位置偏移了的接触插塞CP与SOI层SL下方的半导体基板SB连接。另外，通过以宽的宽度形成外延层T1，防止其下的SOI层SL的端部被硅化物化，从而防止MISFET的寄生电阻增大。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：SOI基板，具有半导体基板、所述半导体基板上的绝缘膜、以及所述绝缘膜上的半导体层；场效应晶体管，包括形成于所述半导体基板的阱区域、在所述半导体层上隔着栅极绝缘膜形成的第1栅电极、以及在所述第1栅电极的旁边的所述半导体层和与其上表面相接的外延层中形成的源极/漏极区域；元件分离区域，埋入到对所述半导体层以及所述半导体基板进行开口而在所述SOI基板的上表面形成的槽内；以及接触插塞，与所述外延层连接，所述外延层被形成为覆盖所述半导体层的上表面以及所述元件分离区域的上表面，在所述元件分离区域的所述上表面的端部形成有凹部，从剖面上看，所述凹部的上表面的高度低于所述半导体层的所述上表面，在所述凹部内埋入了所述外延层，所述半导体层的侧壁被所述外延层覆盖，与经由所述接触插塞供给到所述源极/漏极区域的电位独立地控制供给到所述阱区域的电位。