[发明专利]作为光传感器的MOS晶体管结构有效
| 申请号： | 201410164042.9 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104124303A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 鄂尔斯特·布莱施奈德 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 描述了一种用于登记光的结构，包括：MOS晶体管结构(101，201，401，501，601，701)，具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107)，其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型，其中在所述主体区域(107)中，根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子，其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域流的至少一部分向第二源极/漏极区域(105)的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 传感器 mos 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种用于登记光的结构，包括：MOS晶体管结构(101,201，401，501，601，701)，具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107)，其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型，其中在所述主体区域(107)中，根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子，其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域的至少一部分流向第二源极/漏极区域(105)的电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
