[发明专利]表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201410164442.X | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103996767A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;王真真;解意洋;耿照新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法，其中表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，包括：一硅衬底，该硅衬底上部分形成硅纳米线阵列结构；多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒不规则地散布在硅纳米线阵列结构的表面；一阴极电极，其制作在硅纳米线阵列结构上；一阳极电极，其制作在硅衬底的下面。本发明通过合理地设计器件结构可以利用硅纳米线的量子限域效应可以实现硅基发光，并且利用金属SPPs的场增强和强局域性可以增强硅纳米线的发光。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 离激元 增强 纳米 电致发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，包括： 一硅衬底，该硅衬底上部分形成硅纳米线阵列结构； 多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒不规则地散布在硅纳米线阵列结构的表面； 一阴极电极，其制作在硅纳米线阵列结构上； 一阳极电极，其制作在硅衬底的下面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410164442.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：齿轮加工夹紧装置及齿轮加工机床
- 下一篇：淬火室
