[发明专利]石墨烯薄膜生长用铜箔的处理方法及该方法制备的铜箔

摘要

本发明涉及一种石墨烯薄膜生长用铜箔的处理方法及该方法制备的铜箔，该处理方法包括（1）对铜箔坯料进行等离子清洗除污后，再对该铜箔坯料进行等离子去氧化层处理，即利用氢气作为等离子处理气体，以除去铜箔坯料的表面氧化层；（2）将已除去氧化层的铜箔坯料进行电化学抛光后；（3）重复步骤（1），以除去抛光后的铜箔坯料表面氧化层，得到石墨烯薄膜生长用铜箔。本发明的等离子处理过程中采用两步法，第一步通入氧气清除有机污渍，第二步通入氢气或其他还原性气体除去氧化层，这两个过程都属于化学反应，比通入氩气的物理反应效率高，处理更为彻底，且能有效避免铜箔发黄，以提高后期石墨烯薄膜生成的完整性和均匀性。

主权项

一种石墨烯薄膜生长用铜箔的处理方法，包括如下步骤：（1）等离子预处理：该处理过程分两步进行，首先，将剪裁好的铜箔坯料置于真空等离子清洗机中，通一定流量的氧气，进行第一次等离子除污处理；然后，将等离子清洗机抽真空，然后通入一定流量的氢气，进行第一次等离子去氧化层处理；（2）将已除去氧化层的铜箔坯料进行电化学抛光后；（3）再次进行等离子处理，以得到所述石墨烯薄膜生长用铜箔。