[发明专利]带有牺牲阳极的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410165326.X | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104183506B | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | S·P·肖邦;丁珉;V·马修;S·S·罗斯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 封装半导体器件是通过在集成电路器件12的外部表面上形成导电焊盘14，在所述导电焊盘上形成钝化层24、56、106，移除在所述导电焊盘上的接合区上的一部分所述钝化层，在围绕所述接合区的大部分外围的周围形成牺牲阳极28、54、112，在所述接合区内形成导电接合34、62、116以及在所述导电接合和所述牺牲阳极的暴露部分的周围形成密封材料38、64、118。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 牺牲 阳极 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括：在集成电路IC晶圆上形成导电层；在所述导电层的主表面上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层具有比所述导电层高的氧化还原电位；在所述第一牺牲层上形成钝化层；从所述导电层的主表面上的接合区移除部分钝化层和部分第一牺牲层；以及在所述钝化层上形成密封材料，所述密封材料接触所述牺牲层的暴露部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
