[发明专利]一种LED外延层生长方法及制得的LED外延层

摘要

本发明提供了一种LED外延层生长方法及制得的LED外延层，生长方法中的生长P型GaN层步骤为在温度930‑950℃，压力200‑600mbar的反应室内，重复间隔性地通入A、B两组原料，直至P型GaN层的厚度为100‑300nm；A组原料为NH3、TMGa，生成1‑5nm的GaN层；B组原料为NH3、TMGa、Cp2Mg，生成10‑20nm的掺Mg的GaN层。本发明通过调整P型GaN层生长方式，将高温P型掺Mg的GaN层设计为GaN/GaNMg层超晶格，改善空穴迁移时分布，使得器件工作电流得到疏散，通入发光层的电流更加均匀，降低器件的驱动电压以及提升发光效率。

主权项

一种LED外延层生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有缘层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，所述生长P型GaN层步骤为：在温度为930‑950℃，反应腔压力在200‑600mbar的反应室内，重复间隔性地通入A、B两组原料，A、B两组原料的重复次数为10次，A组原料的通入时长为40s，B组原料的通入时长为160s，直至P型GaN层的厚度为100‑300nm；其中，A组原料为50000‑60000sccm的NH3、20‑40sccm的TMGa源，生成厚度为1‑5nm的GaN层；B组原料为50000‑60000sccm的NH3、20‑40sccm的TMGa、1500‑2500sccm的Cp2Mg源，生成厚度为10‑20nm的掺Mg的GaN层，Mg的掺杂浓度为1E19‑1E20atom/cm3。