[发明专利]一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路

摘要

本发明提供了一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路，所述电路包括环振电路、时钟缓冲级、第一数级反相器链N以及第二数级反相器链P；所述环振电路为反相器级联构成；所述第一数级反相器链N为反相器级联，并挂载D触发器构成；所述第二数级反相器链P为反相器级联，并挂载D触发器构成。本发明的一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路可以把NMOS和PMOS的波动分别测量出来，并以数字化的方式输出，方便读取数据，且有利于在片上进行集成，用于后续的工艺波动补偿。

主权项

一种检测集成电路制造工艺中工艺波动的检测电路，其特征在于，所述电路包括环振电路、时钟缓冲级、第一数级反相器链N以及第二数级反相器链P；所述环振电路为反相器级联构成，所述环振电路的输出端分别与所述第一数级反相器链N的时钟输入端、第二数级反相器链P的时钟输入端和时钟缓冲级的输入端连接；所述第一数级反相器链N为反相器级联，并挂载D触发器构成，所述D触发器位于所述第一数级反相器链N的后端；所述第二数级反相器链P为反相器级联，并挂载D触发器构成，所述D触发器位于所述第二数级反相器链P的后端；所述D触发器的D端连接其前面的反相器的输出端，所述D触发器的CLK端均连接所述时钟缓冲级的输出端；其中所述环振电路中的反相器为宽、长均大的NMOS晶体管和宽、长均大的PMOS晶体管；所述第一数级反相器链N的反相器为宽、长均小的NMOS晶体管和宽、长均大的PMOS晶体管；所述第二数级反相器链P的反相器为宽、长均大的NMOS晶体管和宽、长均小的PMOS晶体管；所述环振电路的级数选择为127级，第一数级反相器链N的级数选择为135级，第二数级反相器链P的级数选择为295级；所述第一数级反相器链N的后32级每2级挂一个D触发器，第二数级反相器链P的后64级每4级挂一个D触发器。