[发明专利]等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置有效
| 申请号： | 201410166079.5 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104125697B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡熙善;赵政熙;李锺植;李韩生;金贤峻 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H05H1/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 唐京桥,陈炜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置。该等离子体产生装置包括RF电源，其提供RF信号；等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；第一电磁电感器，其安装在等离子体腔室的一部分，并且在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第二电磁电感器，其安装在等离子体腔室的另一部分，并在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第一负载，其连接到第一电磁电感器；第二负载，其连接到第二电磁电感器；以及控制器，其通过调整第一负载和第二负载中的至少一个的阻抗，控制供应至第一电磁电感器和第二电磁电感器的电力。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 产生 装置 控制 方法 包括 处理 | ||
【主权项】：
一种等离子体产生装置，包括:RF电源，其提供RF信号；等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；第一电磁电感器，其安装在所述等离子体腔室的一部分，并且在所述RF信号被施加时在所述等离子体腔室中感应电磁场；第二电磁电感器，其安装在所述等离子体腔室的另一部分，并且在所述RF信号被施加时在所述等离子体腔室中感应电磁场；第一负载，其连接到所述第一电磁电感器；第二负载，其连接到所述第二电磁电感器；以及控制器，其通过调整所述第一负载和所述第二负载中的至少一个的阻抗，来控制供应至所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器的电力，其中，根据使用等离子体处理的基板上的薄膜厚度，所述控制器控制供应至所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器的电力。
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