[发明专利]晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法有效
申请号: | 201410166240.9 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN103943579B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 何洪文;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法,包括晶圆、多个导电柱体和介质层,导电柱体包括聚合物核心、电镀种子层和金属铜层,导电柱体上表面露出介质层上表面、并设置凸点,导电柱体下表面与晶圆上的焊盘连接。所述晶圆级铜柱微凸点结构的制作方法,包括以下步骤:(1)在晶圆上表面涂覆聚合物层,刻蚀得到聚合物核心;(2)在晶圆上表面制作电镀种子层;在电镀种子层上表面制作金属铜层;(3)刻蚀掉不需要的电镀种子层和金属铜层;(4)导电柱体间填充介质;(5)在步骤(4)结构上表面涂覆光刻胶,露出金属铜层上表面、并电镀钎料后回流焊形成凸点;去除光刻胶。本发明可以防止凸点开裂现象的发生,提高铜柱凸点的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级铜柱微凸点 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆级铜柱微凸点结构的制作方法,其特征是,包括以下步骤:(1)在晶圆(1)上表面涂覆聚合物层,在聚合物层上通过刻蚀工艺得到多个聚合物核心(31),聚合物核心(31)位于焊盘(2)的正上方;(2)在步骤(1)得到的结构上表面电镀铜,从而在聚合物核心(31)和晶圆(1)暴露的上表面上形成电镀种子层;(3)在电镀种子层上表面电镀铜材料,得到金属铜层;(4)刻蚀掉晶圆(1)上表面的电镀种子层和金属铜层;上述步骤(1)~(4)得到多个导电柱体(30),导电柱体(30)包括聚合物核心(31)、位于该聚合物核心(31)表面的电镀种子层(32)和位于该电镀种子层(32)表面的金属铜层(33);(5)对上述多个导电柱体(30)间进行介质填充,在导电柱体(30)之间形成介质层(4),并露出金属铜层(33)的上表面;(6)在步骤(5)得到的结构的上表面涂覆光刻胶,得到光刻胶层;在光刻胶层上制作多个图形开口,露出聚合物核心(31)上方金属铜层(33)的上表面;(7)在上述光刻胶层的图形开口中电镀钎料材料;对钎料材料进行回流焊工艺,形成凸点(5);(8)去除光刻胶,得到所述的晶圆级铜柱微凸点结构。
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