[发明专利]一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件有效
| 申请号： | 201410166378.9 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN104037236B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;张艺蒙;贾仁需;张玉明;王悦湖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N‑外延层、N+衬底区、欧姆接触区，其中，所述P+离子注入区处于深沟槽的拐角处下方；所述沟槽为深沟槽，沟槽的深度为1.5～8μm。本发明具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，继承沟槽式碳化硅SBD的基本结构，具有正向电流大的优点，同时克服了反向漏电流大的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 深沟 浮动 碳化硅 sbd 器件 | ||
【主权项】：
一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N‑外延层、N+衬底区、欧姆接触区，其中，所述P+离子注入区处于深沟槽的拐角处下方，P+离子注入区的形状为与沟槽形状相同的环形，且P+离子注入区位于一次N‑外延层表面；所述沟槽为深沟槽，沟槽的深度为1.5～8μm。
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