[发明专利]一种用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法

摘要

本发明提供一种用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，涉及集成电路技术领域。该方法包括步骤S101将版图中的有源层与鳍型结构层重叠但未与栅极层重叠的区域识别为FINSD，将版图中栅极层与有源层以及鳍型结构层重叠的区域识别为GATE0；步骤S102将所述GATE0中左右两侧均与所述FINSD相接触的部分识别为GATE1；步骤S103将所述GATE1沿栅极层的延伸方向延伸预定距离后所形成的区域识别为GATEr，其中所述预定距离为相邻的两个鳍型结构层之间的间距的二分之一。该方法可以实现对晶体管栅极的自动识别，因此，不需要在版图中手动绘制用于识别晶体管栅极的标记层，可以提高设计效率。

主权项

一种用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：将版图中的有源层与鳍型结构层重叠但未与栅极层重叠的区域识别为FINSD，将版图中栅极层与有源层以及鳍型结构层重叠的区域识别为GATE0；步骤S102：将所述GATE0中左右两侧均与所述FINSD相接触的部分识别为GATE1；步骤S103：将所述GATE1沿栅极层的延伸方向延伸预定距离后所形成的区域识别为晶体管的栅极GATEr，其中所述预定距离为相邻的两个鳍型结构层之间的间距的二分之一，其中，当所述GATE1在沿栅极层的延伸方向的两侧均覆盖有有源层时，将所述GATE1沿栅极层的延伸方向同时向两侧各延伸所述预定距离；当所述GATE1仅在沿栅极层的延伸方向的一侧覆盖有有源层时，将所述GATE1沿栅极层的延伸方向向覆盖有有源层的一侧延伸所述预定距离。