[发明专利]一种电迁移的检测结构及检测方法在审
| 申请号： | 201410167096.0 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105093086A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种电迁移的检测结构及检测方法，所述检测结构包括电迁移检测单元和应力电流单元；所述应力电流单元包括环形振荡器、电阻器R |
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| 搜索关键词： | 一种 迁移 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电迁移的检测结构，包括电迁移检测单元和应力电流单元；所述应力电流单元包括环形振荡器、电阻器R0 以及控制晶体管，其中所述环形振荡器的输出端与所述电阻器R0 的第一端相连接，所述环形振荡器的输出端还与所述控制晶体管的栅极相连接；所述电阻器R0 的第二端与所述电迁移检测单元相连接，所述控制晶体管的漏极与所述电阻器R0 的第二端相连接；其中所述环形振荡器分别连接至第一电源电压Vdd1和第二电源电压Vdd2，所述控制晶体管的源极与所述第一电源电压Vdd1相连接。
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