[发明专利]半导体元件

摘要

本发明提供静电电容小且导通电阻低的半导体元件。实施方式的半导体元件具有：第1二极管，第1阴极与流过电流的信号线电连接；第2二极管，具有第2阳极和第2阴极，与所述第1二极管并联地连接，并且所述第2阳极与所述信号线连接；第3二极管，以与所述第2二极管串联地连接的方式，第3阴极与所述第2阴极连接，并且具有比所述第1二极管以及所述第2二极管高的静电电容；以及第4二极管，以与所述第1二极管串联地连接的方式，第4阳极与所述第1阴极连接。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，具有：第1阳极层；第1阴极层，设置于所述第1阳极层上；第1导电类型的第2半导体层，包围所述第1阴极层，设置于所述第1阳极层上；第4阴极层，设置于所述第1阴极层的表面；第4阳极层，设置于所述第1阴极层与所述第4阴极层之间；第2阴极层，设置于所述第1阳极层上；第2导电类型的第3半导体层，包围所述第2阴极层，设置于所述第1阳极层上；第3阴极层，设置于所述第2阴极层以及所述第3半导体层与所述第1阳极层之间，具有比所述第2阴极层的第2导电类型杂质浓度高的第2导电类型杂质浓度；第2阳极层，设置于所述第2阴极层上；第1电极，与所述第1阳极层电连接；以及第2电极，与所述第4阴极层和所述第2阳极层电连接。